Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响

• 作者: 傅广生 周阳 彭英才 王英龙 褚立志
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米Si晶粒 脉冲激光烧蚀 表面形貌
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1683-1686
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2330字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.038

摘要

采用XeCl脉冲准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在1-500Pa的Ar气环境下沉积制备了纳米Si薄膜.x射线衍射谱测量证实,纳米Si晶粒已经形成.利用扫描电子显微镜观测了所形成纳米Si薄膜的表面形貌,结果表明,随着环境气压的增加,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸增大,气压为100Pa时达到最大值20 nm,而后开始减小.从晶粒形成动力学角度,对实验结果进行了定性分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
3	褚立志	河北大学物理科学与技术学院	47	155	7.0	10.0
4	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
5	周阳	河北大学物理科学与技术学院	21	130	7.0	11.0