剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用

• 作者: 叶嗣荣 向勇军 肖灿 黄烈云
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN 剥离技术 紫外探测器
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 115-117
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2267字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.02.009

摘要

采用剥离技术,实现了GaN基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用.介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖灿	重庆邮电学院光电学院	5	17	2.0	4.0
2	向勇军		9	70	5.0	8.0
3	叶嗣荣		15	64	4.0	8.0
4	黄烈云		11	66	4.0	8.0