Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系

• 作者: 冯玉春 刘彩池 徐岳生 朱军山 胡加辉 郭宝平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD GaN 缓冲层
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1577-1581
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.019

摘要

利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析这些样品,比较缓冲层生长温度对缓冲层和外延层的影响,并提出利用动力学模型解释这种温度的影响.进一步解释了GaN外延层表面形貌中"凹坑"的形成及"凹坑"与缓冲层生长温度的关系.结果表明,温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯玉春	深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室	19	103	7.0	9.0
2	刘彩池	河北工业大学材料学院	63	305	11.0	14.0
3	郭宝平	深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室	35	264	10.0	15.0
4	朱军山	河北工业大学材料学院	3	13	2.0	3.0
8	徐岳生	河北工业大学材料学院	21	163	7.0	12.0