串联电容式RF-MEMS开关的研制

• 作者: 孙建海 崔大付
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电容式RF-MEMS开关 电容率 插入损耗 隔离度
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2445-2448
• 页数: 4页
• 分类号: TM564
• 字数: 1938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.033

摘要

研制了一种高电容率的电容式RF-MEMS开关.与普通电容式开关设计不同的是,在CPW信号线上的绝缘层上表面覆盖了一层金属板,使开关在down-state时,上电极能与介质膜紧密接触,而在up-state时,金属板分别与上电极及信号线平面构成一组串联电容,大大降低了Cup值,从而提高了开关的电容率.与相同条件制得的普通电容式开关相比,其电容率要高出一个数量级,达到1000以上.由测试可知,所设计的串联电容式开关其隔离度在8GHz时可达42dB,明显优于普通电容式开关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔大付	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	77	974	17.0	27.0
2	孙建海	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	20	82	6.0	8.0