MOCVD法侧向外延生长高质量GaN

• 作者: 张书明 张纪才 朱建军 杨辉 陈俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 侧向外延 穿透位错
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 106-108
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 960字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.028

摘要

利用金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电镜、X射线双晶衍射、透射电镜测量和分析.发现完全合并后的GaN外延层的表面平整,晶体质量较衬底有大幅的提高,透射电镜进行微区位错观察发现窗口区穿透位错大部分发生转向,侧向生长区下方的穿透位错被掩膜阻断.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	179	2701	25.0	46.0
2	陈俊	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	43	745	14.0	27.0
3	张纪才	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	7	43	3.0	6.0
4	张书明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	11	20	3.0	4.0
5	朱建军	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	17	121	5.0	10.0