在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变

• 作者: 于梅芳 何力 吴俊 巫艳 方维政 王元樟 陈路
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdTe/GaAs CdTe/Si 热应变 高分辨率多重晶多重反射X射线衍射 分子束外延
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 729-733
• 页数: 5页
• 分类号: O47
• 字数: 3774字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.034

摘要

本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/ Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析.研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位.对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力.该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义.