铸造多晶硅中铜沉淀的电子束诱生电流

• 作者: 关口隆史 席珍强 杨德仁 阙端麟 陈君
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铸造多晶硅 铜沉淀 EBIC
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TK514
• 字数: 2415字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2005.01.001

摘要

利用电子束诱生电流(EBIC)研究了不同热处理条件下太阳电池用铸造多晶硅材料中的铜的沉淀特性,并与铜在普通直拉硅单晶中的沉淀行为进行了比较.EBIC观察发现,在铸造多晶硅中,热处理的冷却速率和结晶学缺陷(如晶界和位错)共同影响着铜在多晶硅中的扩散和沉淀性质.样品在快速冷却时,在晶界以及晶粒内形成了很高密度且分布较均匀的细小铜沉淀;而在慢速冷却时,则是形成密度较低,较大尺寸的铜沉淀.EBIC的衬度计算显示,慢速冷却下形成的铜沉淀具有更强的复合特性,且铜沉淀在晶界上的分布具有选择性.最后,讨论了铜沉淀在铸造多晶硅中的形成机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
3	席珍强	浙江大学硅材料国家重点实验室	22	539	13.0	22.0