提升亚微米Si CMOS器件性能的新技术--应变Si技术

• 作者: 余本海 刘志弘 刘江峰 钱佩信 陈长春
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 应变硅 CMOS器件
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 13-18
• 页数: 6页
• 分类号: TN32
• 字数: 3240字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2005.01.003

摘要

详细介绍了应变Si技术产生的起因及特性、应变Si器件的优势、应变Si器件应用中存在的问题并对应变Si技术的市场应用前景作了简单的介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志弘	清华大学微电子学研究所	20	75	4.0	8.0
2	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0
3	余本海	河南信阳师范学院物理电子工程学院	3	20	2.0	3.0
4	刘江峰	河南信阳师范学院物理电子工程学院	3	20	2.0	3.0
5	陈长春	河南信阳师范学院物理电子工程学院	2	18	2.0	2.0