(NH4)2S硫化后ZnS/InP界面的电学特性

• 作者: 吕衍秋 庄春泉 汤英文 黄杨程 龚海梅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP ZnS 硫化 MIS二极管
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1945-1948
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1535字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.015

摘要

在(NH4)2S硫化后的n-型InP衬底上热蒸发ZnS薄膜制得Au/ZnS/InP(100)MIS器件,测得了其I-Ⅴ特性曲线以及3MHz下的高频G-V曲线和100Hz下的准静态G-V曲线.从这些曲线得到如下结果:正向饱和电流为7×10-13A;ZnS钝化下经硫化的n-型InP表面的固定电荷密度为-2.28×1011/cm2;禁带中的最低表面态密度约为1×1012cm-2·eV-1.上述结果表明经硫化后的ZnS/InP界面具有良好的界面特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚海梅	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	69	451	10.0	18.0
2	吕衍秋	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	3	28	3.0	3.0
3	黄杨程	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	4	61	4.0	4.0
4	庄春泉	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	2	9	1.0	2.0
5	汤英文	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	3	13	2.0	3.0