SiC边界层陶瓷电容器的制备和性能特点

• 作者: 张锐 王海龙 秦丹丹 辛玲 高濂 黎寿山
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 陶瓷电容器 SiC 介电常数 介质损耗
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究工作快报
• 页码范围: 77-80
• 页数: 4页
• 分类号: TQ17
• 字数: 2783字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2005.03.020

摘要

陶瓷电容器,尤其是边界层陶瓷电容器由于具有许多优良的性能,而越来越受到人们的重视.通常用于陶瓷电容器的材料是具有弛豫铁电性能的钛酸盐类材料.本文则介绍了将SiC材料用于制备陶瓷电容器,结果发现,电容器的介电常数高达2 910 000,远远高于传统材料;而同时,其介质损耗也非常高.在此,对降低损耗的工艺过程进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高濂	中国科学院上海硅酸盐研究所	165	5315	44.0	64.0
2	王海龙	郑州大学材料工程学院	71	586	15.0	20.0
3	张锐	郑州大学材料工程学院	142	1144	18.0	24.0
4	辛玲	郑州大学材料工程学院	6	100	5.0	6.0
5	黎寿山	郑州大学材料工程学院	6	95	5.0	6.0
6	秦丹丹	郑州大学材料工程学院	15	110	4.0	10.0