GaAs太阳电池1MeV电子辐射效应数值模拟

• 作者: 唐本奇 张勇 王祖军 肖志刚 黄绍艳 黄芳
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 太阳电池 辐射效应 MEDICI 模拟
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 97-99,103
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4|V442
• 字数: 1857字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2005.01.025

摘要

简要介绍了太阳电池的基本工作原理和辐射损伤机理.利用二维半导体器件数值模拟软件MEDICI,模拟计算了1MeV高能电子在辐射通量范围为1×1013～1×1015 cm2时,对GaAs太阳电池主要输出参数(如开路电压Voc,短路电流Isc)的影响 ,并对计算结果进行了分析,计算结果与相关文献给出的实验数据吻合较好.