0.1μm槽栅CMOS器件及相关特性

• 作者: 任红霞 孙宝刚 张晓菊 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 槽栅结构 CMOS 超深亚微米
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 532-535
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.021

摘要

通过实验成功得到了0.1μm槽栅结构CMOS器件,验证了理论结果的正确性,表明这是一种优良的小尺寸器件结构.该槽栅器件具有阈值电压漂移较小及较好抑制短沟道效应的特点,并分析了目前器件驱动电流较小的原因及解决办法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华	西安电子科技大学微电子研究所	40	140	7.0	8.0
3	张晓菊	西安电子科技大学微电子研究所	11	35	4.0	5.0
4	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0
5	孙宝刚	中国科学院微电子研究所	6	8	2.0	2.0