TiN/SiC纳米多层膜中的晶体互促生长

• 作者: 劳技军 孔明 张慧娟 戴嘉维 李戈扬
• 来源期刊: 上海交通大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: TiN/SiC纳米多层膜 晶体生长 共格界面 立方碳化硅
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 物理、数学
• 页码范围: 324-328
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3679字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-2467.2005.02.037

摘要

研究了TiN/SiC纳米多层膜中的晶体互促生长效应,采用磁控溅射法制备了一系列不同厚度SiC和TiN的TiN/SiC纳米多层膜以及TiN、SiC单层膜.利用透射电子显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和X射线能量色散谱仪分析了多层膜的微结构.结果表明,尽管TiN和SiC的单层膜分别以纳米晶态和非晶态存在,但由TiN和SiC通过交替沉积形成的纳米多层膜却能够生长成为晶体完整性良好的柱状晶并呈现强烈的择优取向,显示了一种异质材料晶体生长的相互促进作用.纳米多层膜中的晶体互促生长效应与新沉积层原子在先沉积层表面上的移动性有重要关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔明	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	19	194	8.0	13.0
2	李戈扬	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	109	1036	18.0	25.0
3	戴嘉维	上海交通大学教育部高温材料及高温测试重点实验室	18	231	7.0	15.0
4	张慧娟	上海交通大学教育部高温材料及高温测试重点实验室	15	108	5.0	10.0
5	劳技军	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	9	100	6.0	9.0