掺杂GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光特性分析

• 作者: 周均铭 李华 程兴奎 黄绮
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/AlGaAs 超晶格 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 分类号: TN383+.2
• 字数: 2013字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2005.03.006

摘要

在室温下,通过光致发光实验研究了用MBE生长的GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格材料的光致发光特性,对测得的发光峰进行了指认.理论计算和实验结果符合很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李华	山东大学物理与微电子学院	112	398	11.0	17.0
2	程兴奎	山东大学物理与微电子学院	24	80	5.0	7.0
3	周均铭	中国科学院物理所	29	95	6.0	8.0
4	黄绮	中国科学院物理所	26	106	7.0	9.0