氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理

• 作者: 于彤军 冯振兴 姚淑德 张国义 杨华 杨志坚 秦志新 胡成余 胡晓东 陈志忠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p型氮化镓 镍/金 比接触电阻 同步辐射 卢瑟福背散射
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1154-1158
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3501字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.017

摘要

用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化,发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN上形成外延结构以及O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用.在500℃时,Au的外延结构进一步改善,O进一步向样品内部扩散生成NiO,ρc也达到了最低值.但当合金温度升高到600℃时,金属-半导体界面NiO的大部分或全部向外扩散,从而脱离与p-GaN的接触,使ρc显著升高.