AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管解析模型

• 作者: 张进城 李培咸 杨燕 王平 郝跃
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 解析模型 极化效应 寄生源漏电阻
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 205-208
• 页数: 4页
• 分类号: TN325
• 字数: 3122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2005.02.004

摘要

基于电荷控制理论,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I-V特性和小信号参数的解析模型.计算表明,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著,2V栅压下,栅长为1μm的Al0.2Ga0.8N/GaN HEMT获得的最大漏电流为1370mA/mm;降低寄生源漏电阻可以获得更高的饱和电流、跨导和截至频率.模拟结果同已有的测试结果较为吻合,该模型具有物理概念明确且算法简单的优点,适于微波器件结构和电路设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	杨燕	西安电子科技大学微电子所	18	93	5.0	8.0
3	张进城	西安电子科技大学微电子所	52	301	9.0	14.0
4	王平	西安电子科技大学微电子所	32	201	9.0	12.0
5	李培咸	西安电子科技大学微电子所	36	324	10.0	17.0