利用XPS研究紫外光激发下 GaAs晶片表面氧化反应

• 作者: 任殿胜 李雨辰
• 来源期刊: 现代仪器与医疗
• 关键词: 砷化镓 表面 氧化 紫外光 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 24-26,30
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7916.2005.03.008

摘要

本文用XPS分析紫外光激发氧化反应后砷化镓表面的化学组成和氧化层厚度.发现,紫外光激发下,GaAs表面生成氧化膜,同时清除表面污染碳.氧化膜中的镓砷比可以与基体完全保持一致.用此方法获得具有一定的化学稳定性的,适合于器件制备的钝化层.发现紫外光激发的砷化镓表面氧化反应的实质是光催化反应.用"紫外光/臭氧处理法"处理的GaAs晶片,可使器件性能得到改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任殿胜	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	17	2.0	3.0
2	李雨辰	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	14	3.0	3.0