釉中晶相对防静电陶瓷电性能的影响探讨

• 作者: 吴建青 周健儿 毛旭琼 汪永清 赵英
• 来源期刊: 中国陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 防静电 陶瓷 显微结构
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 3734字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9642.2005.02.004

摘要

以Sb掺杂的SnO2半导体为导电填料,选取透明釉、钡无光釉、锆乳浊釉为基釉进行了防静电陶瓷的研制.通过XRD、SEM、EDS等测试手段对防静电陶瓷进行了显微结构分析,重点探讨了基釉中晶相成分与防静电陶瓷电性能的关系.结果表明,釉中晶相对防静电陶瓷电性能的影响是晶相的阻隔作用、釉成分的偏析、导电成分的偏析三者综合作用的结果,透明釉、钡无光釉能制备电性能良好的防静电陶瓷,而锆乳浊釉中锆英石晶相会降低防静电陶瓷的表面电阻,不适于制备防静电陶瓷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周健儿	华南理工大学材料学院	9	178	7.0	9.0
2	吴建青	华南理工大学材料学院	97	629	13.0	19.0
3	汪永清	华南理工大学材料学院	6	48	4.0	6.0
4	赵英		1	9	1.0	1.0
5	毛旭琼		1	9	1.0	1.0