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摘要:
报道了CdS薄膜的CBD法沉积及其结构特性,其中的水浴溶液包括硫脲、乙酸镉、乙酸铵和氨水溶液.研究了水浴溶液的pH值、温度、各反应物溶液的浓度和滴定硫脲与倾倒硫脲等基本工艺参数对CdS薄膜结构特性的影响.其中,溶液的pH值对CdS薄膜的特性起着关键的作用.XRD图显示了随着溶液pH值的变化,薄膜的晶相由六方相向立方相转变.CdS薄膜的这两种晶相对CIGS薄膜太阳电池性能的影响不相同.c-CdS(立方相的CdS)与CIGS之间的晶格失配和界面态密度分别为1.419%和8.507×1012cm-2,而h-CdS(六方相的CdS)与CIGS之间的晶格失配和界面态密度则分别为32.297%和2.792×1012cm-2.高效CIGS薄膜太阳电池需要的是立方相CdS薄膜.
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文献信息
篇名 CdS薄膜的结构特性及其对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的影响
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 CdS Cu(In,Ga)Se2 立方相 六方相
年,卷(期) 2005,(2) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 225-229
页数 5页 分类号 TN304.2+5
字数 2218字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙云 南开大学信息学院光电子研究所 33 390 11.0 19.0
2 何青 南开大学信息学院光电子研究所 40 365 11.0 18.0
3 薛玉明 南开大学信息学院光电子研究所 9 117 5.0 9.0
4 刘芳芳 南开大学信息学院光电子研究所 19 224 7.0 14.0
5 汲明亮 南开大学信息学院光电子研究所 3 24 3.0 3.0
6 李长键 南开大学信息学院光电子研究所 2 20 2.0 2.0
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大16开
北京912信箱
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1980
eng
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