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CdS薄膜的结构特性及其对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的影响
CdS薄膜的结构特性及其对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的影响
作者:
何青
刘芳芳
孙云
李长键
汲明亮
薛玉明
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CdS
Cu(In,Ga)Se2
立方相
六方相
摘要:
报道了CdS薄膜的CBD法沉积及其结构特性,其中的水浴溶液包括硫脲、乙酸镉、乙酸铵和氨水溶液.研究了水浴溶液的pH值、温度、各反应物溶液的浓度和滴定硫脲与倾倒硫脲等基本工艺参数对CdS薄膜结构特性的影响.其中,溶液的pH值对CdS薄膜的特性起着关键的作用.XRD图显示了随着溶液pH值的变化,薄膜的晶相由六方相向立方相转变.CdS薄膜的这两种晶相对CIGS薄膜太阳电池性能的影响不相同.c-CdS(立方相的CdS)与CIGS之间的晶格失配和界面态密度分别为1.419%和8.507×1012cm-2,而h-CdS(六方相的CdS)与CIGS之间的晶格失配和界面态密度则分别为32.297%和2.792×1012cm-2.高效CIGS薄膜太阳电池需要的是立方相CdS薄膜.
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关键词热度
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文献信息
篇名
CdS薄膜的结构特性及其对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的影响
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
CdS
Cu(In,Ga)Se2
立方相
六方相
年,卷(期)
2005,(2)
所属期刊栏目
研究快报
研究方向
页码范围
225-229
页数
5页
分类号
TN304.2+5
字数
2218字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.001
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
孙云
南开大学信息学院光电子研究所
33
390
11.0
19.0
2
何青
南开大学信息学院光电子研究所
40
365
11.0
18.0
3
薛玉明
南开大学信息学院光电子研究所
9
117
5.0
9.0
4
刘芳芳
南开大学信息学院光电子研究所
19
224
7.0
14.0
5
汲明亮
南开大学信息学院光电子研究所
3
24
3.0
3.0
6
李长键
南开大学信息学院光电子研究所
2
20
2.0
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半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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