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摘要:
为了制备应用于太阳电池的优质多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,用电导率设备测试其暗电导率.研究表明退火温度、退火时间对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光热退火前先用常规高温炉预热有助于增大多晶硅薄膜的晶粒尺寸和暗电导率.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 快速光热退火法制备多晶硅薄膜的研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 半导体材料 快速光热退火 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 晶粒尺寸 暗电导率
年,卷(期) 2005,(2) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 26-28,31
页数 3页 分类号 TM23
字数 1234字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.02.009
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研究主题发展历程
节点文献
半导体材料
快速光热退火
非晶硅薄膜
多晶硅薄膜
晶粒尺寸
暗电导率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
相关基金
河南省自然科学基金
英文译名:
官方网址:http://kyc.hncj.edu.cn/gzzd/gzzd56.htm
项目类型:
学科类型:
论文1v1指导