MOCVD侧向外延GaN的结构特性

• 作者: 张国义 方慧智 杨志坚 胡晓东 陆敏 陆羽 陈志忠
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 侧向外延 金属有机化学气相沉积 氮化镓 原子力显微镜 拉曼散射
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 748-752
• 页数: 6页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 3125字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.06.011

摘要

侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的.观察ELO-GaN 扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群.X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜.拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高.ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高.