高真空条件下绝缘闪络机理研究的评述

• 作者: 严萍 孙广生 高巍
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高真空 闪络 吸附 解吸附
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 专题论述
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TM85
• 字数: 3455字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6520.2005.01.001

摘要

实验研究了ns脉冲(10/30 ns)下真空绝缘闪络电压随气压(10-5～10-1Pa)的变化趋势,结果表明高真空范围内的气压变化不影响绝缘闪络电压.剖析真空环境下的气体解吸附过程表明:高真空阶段时表面放气已成主要气体负荷;气体解吸过程始于闪络发生前,且所释放气体均源于绝缘体表面的吸附气体而非背景环境;闪络时绝缘表面已形成良好的气体放电环境,即真空中的闪络实为绝缘体表面气体解吸后形成的高气密环境中的放电过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严萍	中国科学院电工研究所	191	2402	27.0	36.0
2	孙广生	中国科学院电工研究所	50	692	16.0	24.0
3	高巍	中国科学院电工研究所	15	111	8.0	10.0