PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应

• 作者: 姚育娟 杨志安 杨祖慎 罗伊虹 靳涛
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲X射线 场效应晶体管 辐射效应
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 105-108
• 页数: 4页
• 分类号: O472.1
• 字数: 3197字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2005.02.005

摘要

根据P沟道金属氧化物场效应晶体管(PMOSFET)在低能脉冲X射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	靳涛	中国科学院新疆理化技术研究所	11	6	2.0	2.0
2	姚育娟		10	48	4.0	6.0
3	杨祖慎	新疆大学物理系	6	8	2.0	2.0
4	杨志安	新疆大学物理系	4	2	1.0	1.0
5	罗伊虹		1	0	0.0	0.0