深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术

• 作者: 成立 武小红 王振宇 祝俊 范木宏 赵倩
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超大规模集成电路 纳米CMOS器件 离子束蚀刻 考夫曼离子源 电子回旋共振 电感耦合等离子体蚀刻器
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 集成电路制造技术
• 页码范围: 35-40
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7|TN405.98|TN47
• 字数: 5396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.01.013

摘要

综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及其应用要点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成立	江苏大学电气信息工程学院	168	1567	21.0	32.0
2	王振宇	江苏大学电气信息工程学院	81	628	15.0	21.0
3	祝俊	江苏大学电气信息工程学院	26	279	9.0	16.0
4	武小红	江苏大学电气信息工程学院	62	694	15.0	24.0
5	范木宏	江苏大学电气信息工程学院	6	55	3.0	6.0
6	赵倩	江苏大学电气信息工程学院	11	31	3.0	5.0