LD泵浦激光晶体Nd:GGG原料制备及结构分析

• 作者: 孙敦陆 张庆礼 张霞 殷绍唐 王召兵 苏静 邵淑芳
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 材料 Nd:GGG 晶格参数 共沉淀法 晶体生长
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: "全固态激光器"专集
• 页码范围: 565-569
• 页数: 5页
• 分类号: O471.4
• 字数: 2565字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2005.04.016

摘要

采用共沉淀方法,以金属Ga和Gd2O3为起始原料,以氨水为沉淀剂,制备了GGG多晶.测量了共沉淀方法制备的GGG多晶、固相反应法制备的Nd:GGG多晶以及提拉法生长的GGG、Nd:GGG晶体的X射线衍射谱(XRD),利用图解外推法计算了晶格参数.共沉淀方法制备的GGG多晶原料较固相法制备的Nd:GGG晶格参数小,可能是固相制备过程中Ga组分挥发导致Gd3+取代了Ga3+位以及Nd3+占据了部分的Gd3+位,从而使晶格参数变大.同时就提拉法生长的Nd:GGG晶体和GGG晶体的晶格参数进行比较发现,Nd:GGG晶体的晶格参数较纯GGG晶体的晶格参数大,说明在Nd:GGG晶体中Nd3+占据了部分的Gda+位.另外,晶体的晶格参数较多晶粉末的晶格参数大,分析认为这可能也是由于Ga组分的挥发导致Gd3+占据了Ga3+位所引起.这些实验结果说明Ga组分挥发在原料制备过程和晶体生长过程中都可能存在,因此应在制备原料和晶体生长等各个环节中考虑Ga组分的挥发.采用液相共沉淀方法制备有利于抑止Ga组分的挥发.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙敦陆	中国科学院安徽光学精密机械研究所	36	292	9.0	15.0
2	张庆礼	中国科学院安徽光学精密机械研究所	60	592	14.0	22.0
3	张霞	中国科学院安徽光学精密机械研究所	109	2111	26.0	41.0
4	苏静	中国科学院安徽光学精密机械研究所	18	190	7.0	13.0
5	邵淑芳	中国科学院安徽光学精密机械研究所	11	99	5.0	9.0
6	王召兵	中国科学院安徽光学精密机械研究所	4	55	3.0	4.0