SEU的二维数值模拟

• 作者: 宋哲 王莉 许仲德 陆剑侠
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: SEU模 拟 SOI 抗辐射
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 微机软件
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 1808字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2005.01.013

摘要

本文阐述了单粒子效应原理和损伤机理,对MEDICI软件进行了简要介绍.运用MEDICI软件分别对体硅和SOI(Silicon-On-Insulator)衬底材料进行CMOS SRAM的SEU(Single-Event Upset)模拟实验,得出实验结果,并对实验结果进行分析,证明了SOI材料有良好的抗辐射加固特性,体现出SOI材料的优越性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王莉	辽宁大学物理系	5	5	2.0	2.0
2	宋哲	辽宁大学物理系	3	5	2.0	2.0
3	陆剑侠		4	4	1.0	1.0
4	许仲德		8	6	1.0	1.0