安捷伦科技进一步丰富其适用于无线基础设施的经济型SOT-89高线性度E-pHEMT FET产品系列

• 来源期刊: 网络电信
• 学科: 工学
• 关键词: E-PHEMT 高线性度 产品系列 无线基础设施 增强模式伪形态高电子迁移率晶体管 FET 经济型 安捷伦科技公司 适用 丰富 行业标准 表面封装 场效应管 GHz 单电压 容量 通道 基站 推出
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 72
• 页数: 1页
• 分类号: TN722.75

摘要

该产品经济地增加了50MHz-6 GHz基站的通道容量 中国北京-安捷伦科技公司(Agilent Technologies)日前宣布，在其高线性度E-pHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)FETs(场效应管)产品系列中增加两款采用4．5mm×4．1mm×1．5mm行业标准表面封装的SOT-89新产品。通过采用行业标准封装，安捷伦新推出的ATF-52189和ATF-53189及早先推出的ATF-50189单电压E—pHEMT FET进一步简化了将50MHz-6GHz基站升级到更高通道容量的工作。