功率场效应晶体管MOSFET（三）

• 作者: 周志敏
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 功率场效应晶体管 MOSFET 功率半导体器件 栅极电容
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 62-64
• 页数: 3页
• 分类号: TN386

摘要

MOSFET漏源之间的电流通过一个沟道(Channel)上的栅(gate)来控制。按MOSFET的原意，MOS代表金属(Metal)氧化物(Oxide)-半导体(Semiconductor)，即以金属层(M)的栅极隔着氧化层（O)利用电场的效应来控制半导体(S)。FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)的名字也由此而来。然而HEXFET中的栅极并不是金属做的，而是用多晶硅(polysilicon)来做栅极，这也就是图中所注明的硅栅极(silicon gate)。IR在1978年时是用金属做栅极的，1979年的GEN-1 HEXFET是世界上第一个采用多晶硅栅极的多原胞型功率MOSFET。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周志敏	山东莱芜钢铁集团公司动力部	69	134	5.0	11.0