纳米硅薄膜光学性质的测定与研究

• 作者: 丁琨 吴小文 崔敏 张维佳 李国华 钟立志
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅薄膜 折射率 吸收系数 光能隙
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 327-329,334
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1318字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.04.016

摘要

通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙.计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好.在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国华	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	25	99	5.0	9.0
2	崔敏	北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心	10	72	4.0	8.0
3	张维佳	北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心	18	162	8.0	12.0
4	吴小文	北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心	7	60	4.0	7.0
5	钟立志	北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心	6	57	4.0	6.0