10 Gbit/s GaAs 跨阻前置放大器

• 作者: 王国全
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 光纤通信 跨阻前置放大器 GaAs
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 248-250
• 页数: 3页
• 分类号: TN722.7
• 字数: 1625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.02.005

摘要

GaAs基pHEMT工艺适合于制作10 Gbit/s速率的高速前置放大器电路.完成了工作于10 Gbit/s速率的跨阻前置放大器电路的器件设计、电路设计,电路采用了串联电感L技术,有效地提高了工作带宽.模拟工作带宽达到9.0 GHz,跨阻增益达到58 dBΩ.电路采用0.2 μm GaAs基pHEMT电子束直写T型栅工艺制作.对制作的电路进行了电测试,可工作于10 Gbit/s的速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王国全		1	18	1.0	1.0