退火对常压MOCVD法生长的高结晶性能 ZnO薄膜发光特性的影响

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 退火 薄膜 ZnO 金属有机化学气相沉积 绿光
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 611-616
• 页数: 6页
• 分类号: O472.3|O4821.31
• 字数: 3046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.05.011

摘要

研究了氧气退火和氮气退火对ZnO薄膜发光特性的影响.ZnO膜是采用常压金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上生长的.原生样品1有一很强的紫外峰及较强的绿光峰(525 nm附近);原生样品2有很强的紫外峰,深能级发光几乎观察不到.然后从不同原生膜上取两块小样品,分别在氧气和氮气中退火,退火温度是400,500,600,700,800℃.结果表明,在700℃以下退火,退火气氛对ZnO膜的深能级发光影响较大;超过700℃后,退火温度对ZnO薄膜的发光影响大,但退火气氛影响不太明显.通过退火对ZnO薄膜发光特性的影响,讨论了ZnO膜中525 nm附近绿光峰的起源.