ICP刻蚀技术在MEMS器件制作中的应用

• 作者: 吴学忠 张建辉 李伟东 李圣怡
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统 感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: MEMS器件与技术
• 页码范围: 473-476
• 页数: 4页
• 分类号: TH16
• 字数: 1669字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2005.10.007

摘要

简单介绍了ICP刻蚀系统和刻蚀原理.通过实验分析了ICP刻蚀SiO2和Cr时,刻蚀速率随相关工艺参数变化而变化的几点规律.同时给出了用ICP刻蚀出的MEMS传感器Si基腔的表面形貌图和Cr电阻的显微镜照片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴学忠	国防科技大学机电工程与自动化学院	70	934	18.0	28.0
2	李圣怡	国防科技大学机电工程与自动化学院	186	3101	27.0	44.0
3	李伟东	国防科技大学机电工程与自动化学院	3	90	3.0	3.0
4	张建辉	国防科技大学航天与材料工程学院	3	47	2.0	3.0