InGaAsP单量子阱激光器热特性研究

• 作者: 张永明 秦莉 路国光 钟景昌
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 单量子阱激光器 InGaAsP 热特性 特征温度
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 291-293
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1820字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.04.006

摘要

从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃～70℃的温度范围内,器件的功率由1.12W降到0.37 W,斜率效率由1.06 W/A降到0.47 W/A.实验测得其特征温度T0为321 K.激射波长随温度的漂移为0.45 nm/℃.其芯片的热阻为2.44℃/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟景昌	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	129	7.0	10.0
2	秦莉	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	50	185	8.0	13.0
3	张永明	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	22	28	2.0	5.0
4	路国光	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	2	1.0	1.0