半金属铋薄膜导电特性和粗糙度的研究

• 作者: 何丕模 张建华 徐建峰 李海洋 鲍世宁
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Bi薄膜 厚子力显微镜 电阻 粗糙度 表面形貌
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2484字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.01.007

摘要

本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi薄膜,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系,并用原子力显微镜(AFM)研究了云母表面半金属薄膜电阻变化与薄膜粗糙度间的关系.生长初始阶段,薄膜先形成孤立的三维小岛(典型高度1 nm,直径10 nm,间距10 nm),随后互相聚结形成网状结构,薄膜不导通(R≥20 MΩ),粗糙度随膜厚增加而减小.当等效厚度d=1.74 nm时,薄膜导通(R≤13 MΩ),薄膜的形貌变为有小孔洞的连续状结构,粗糙度在此厚度附近达到最小值然后又增大.随着薄膜继续生长,连续状结构的厚度增加,薄膜电阻随之迅速减小,当d≥2.4 nm时薄膜电阻趋近于稳定值2kΩ.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲍世宁	浙江大学物理系	40	77	5.0	7.0
2	李海洋	浙江大学物理系	37	35	2.0	3.0
3	何丕模	浙江大学物理系	35	120	6.0	10.0
4	张建华	浙江大学物理系	27	191	6.0	13.0
5	徐建峰	浙江大学物理系	1	6	1.0	1.0