快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究

• 作者: 李养贤 李洪涛 杨帅 牛萍娟 王宝义 陈东风 陈贵峰 马巧云
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 快中子辐照 空位型缺陷 受主 施主
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1783-1787
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 5150字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.056

摘要

通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和Hall技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照缺陷、电阻率、载流子迁移率、载流子浓度随退火温度的变化.经快中子辐照,直拉硅样品的导电类型由n型转变为p型.在450和6000℃热处理出现两种受主中心,分别由V2O2,V2O,VO2,V-O-V及V4型缺陷引起,这些缺陷态的出现使得样品中空穴浓度迅速增加;大于650℃热处理这些受主态缺陷迅速消失,样品的载流子迁移率及载流子类型开始恢复,并出现一种与辐照相关的施主态缺陷,导致样品的电子浓度增加,电阻率迅速下降.这种施主态缺陷的浓度在750℃热处理达到最大,并在随后大于900℃,1 h热处理很快被消除.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学信息与通信学院	123	617	13.0	17.0
2	王宝义	中国科学院高能物理研究所	69	258	9.0	12.0
3	陈东风		83	193	7.0	11.0
4	陈贵峰	河北工业大学材料学院	4	61	3.0	4.0
5	李养贤	河北工业大学材料学院	51	362	12.0	17.0
6	杨帅	河北工业大学材料学院	7	25	3.0	4.0
7	马巧云	河北工业大学材料学院	6	19	3.0	4.0
8	李洪涛		4	13	2.0	3.0