纳米NiO的制备及其赝电容特性研究

• 作者: 杨邦朝 胡永达 邓梅根
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 纳米NiO 沉淀转化法 超级电容器 比容
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 19-21,26
• 页数: 4页
• 分类号: TM911|TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2005.05.005

摘要

运用沉淀转化法制备Ni(OH)2超微粉末,并通过热处理得到纳米NiO.利用TEM,TG,XRD,循环伏安和恒流充放电测试对样品进行了分析和表征.结果表明,实验制备的NiO粒径为10nm左右, 在-0.05～0.35V(vs SCE)的电位范围内表现出典型的法拉第赝电容行为, 在电流密度为2mA*cm-2时, 其比容达到243F·g-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨邦朝	电子科技大学微电子与固体电子学院	253	3422	31.0	49.0
2	邓梅根	电子科技大学微电子与固体电子学院	26	1151	17.0	26.0
3	胡永达	电子科技大学微电子与固体电子学院	61	1556	20.0	39.0