超高速半导体开关RSD的开通机理与大电流特性研究

• 作者: 余岳辉 刘玉华 刘璐 李谋涛 梁琳
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率 开关 RSD 开通特性 脉冲
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 电工技术前沿问题学术论坛专题
• 页码范围: 36-40,62
• 页数: 6页
• 分类号: TM56
• 字数: 3309字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-6753.2005.02.006

摘要

基于反向注入控制RSD(Reversely Switched Dynistor)的大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点,新开通机制的RSD将在脉冲功率技术中获得重要应用.本文研究了RSD的开通机理和开通条件,为器件开通特性的改进和预充电路的合理设计提供了依据;实验还表明,由小直径RSD的极限电流测试结果,可以用经验公式得到同类结构的任意通流面积RSD脉冲大电流耐量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁琳	华中科技大学电子科学与技术系	39	240	8.0	14.0
2	余岳辉	华中科技大学电子科学与技术系	60	621	14.0	22.0
3	刘璐	华中科技大学电子科学与技术系	33	220	8.0	14.0
4	刘玉华	华中科技大学电子科学与技术系	9	124	5.0	9.0
5	李谋涛	华中科技大学电子科学与技术系	2	69	2.0	2.0