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摘要:
在Mn:Fe:LiNbO3(Mn:Fe:LN)中掺进不同摩尔分数In2O3,用提拉法生长In:Mn:Fe:LN晶体.测试了晶体的红外光谱,发现:3%In:Mn:Fe:LN晶体OH-吸收峰位置移到3 506 cm-1.用光斑畸变法测试晶体抗光致散射能力表明:In:Mn:Fe:LN晶体抗光致散射能力比Mn:Fe:LN晶体提高1~2个数量级.探讨了In:Mn:Fe:LN晶体OH吸收峰移动和抗光致散射能力增强的机理.以He-Ne激光作记录光,高压汞灯紫外光作开关光,In:Mn:Fe:LN晶体中一种杂质Fe充当较浅能级,另一种杂质Mn充当较深能级,以Mn:Fe:LN和1%In:Mn:Fe:LN晶体作为存储介质实现非挥发性存储.用双光子固定法测量了In:Mn:Fe:LN晶体的二波耦合衍射效率.研究了In:Mn:Fe:LN晶体的双光子全息存储机理.
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文献信息
篇名 In:Mn:Fe:LiNbO3晶体非挥发性全息存储
来源期刊 硅酸盐学报 学科 物理学
关键词 掺铟锰铁铌酸锂晶体 非挥发性存储 红外光谱 提拉法晶体生长
年,卷(期) 2005,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1330-1333
页数 4页 分类号 O742
字数 2619字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0454-5648.2005.11.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐玉恒 哈尔滨工业大学应用化学系 70 231 6.0 10.0
2 杨春晖 哈尔滨工业大学应用化学系 59 300 9.0 14.0
3 周楠 哈尔滨工业大学应用化学系 4 30 2.0 4.0
4 王锐 哈尔滨工业大学应用化学系 64 295 9.0 12.0
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掺铟锰铁铌酸锂晶体
非挥发性存储
红外光谱
提拉法晶体生长
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硅酸盐学报
月刊
0454-5648
11-2310/TQ
大16开
北京市海淀区三里河路11号
2-695
1957
chi
出版文献量(篇)
6375
总下载数(次)
8
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
论文1v1指导