CdZnTe晶片表面化学抛光研究

• 作者: 介万奇 杨戈 汪晓芹
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdZnTe 化学抛光 腐蚀速率 平均粗糙度 表面组成 缺陷
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 790-793,804
• 页数: 5页
• 分类号: TL816
• 字数: 2417字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.006

摘要

采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对CdZnTe进行化学抛光,发现用2%Br2-MeOH腐蚀时速率平稳且易于控制,能有效去除表面划痕,获得光亮表面.AFM分析发现,抛光后表面粗糙度降低30%,平整度增加.XPS分析发现CdZnTe的(111)Cd极性面变成了富Te非极性表面.PL分析发现表面陷阱态密度降低,表面晶格的完整性增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料科学与工程学院	272	1636	19.0	27.0
2	杨戈	西北工业大学材料科学与工程学院	5	16	2.0	3.0
3	汪晓芹	西北工业大学材料科学与工程学院	8	24	2.0	4.0