NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿磁电阻

• 作者: 朱林 谢征微 陈卫东
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 隧穿磁电阻 非磁绝缘(半导)体间隔层 双自旋过滤隧道结
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 683-686
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2363字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2005.06.015

摘要

在NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(NM为非磁金属,FI和后面的NI分别为铁磁和非磁绝缘体或半导体)的基础上,提出一种NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结.基于自由电子近似并利用转移矩阵方法,对NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结在不同偏压下的隧穿磁电阻TMR与FI层厚度及NI层厚度的关系做了理论研究.计算结果表明,在NM/FI/NI/FI/NM型双自旋过滤隧道结中仍可以得到很大的TMR值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱林	四川师范大学物理与电子工程学院	5	7	2.0	2.0
2	谢征微	四川师范大学物理与电子工程学院	28	38	4.0	4.0
3	陈卫东	四川师范大学物理与电子工程学院	8	38	3.0	6.0