HNO3处理多孔硅高效发光的研究

• 作者: 元美玲 姜乐 戴丽丽 王水凤 王震东
• 来源期刊: 江西科学
• 关键词: 多孔硅 光致发光 HNO3
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究进展
• 页码范围: 363-365,382
• 页数: 4页
• 分类号: O472|TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3679.2005.04.021

摘要

在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(Porous Silicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理.比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高.用XPS和SEM对样片测试的结果表明:酸处理后样片表面形成Si-O结构,其表面平均孔径增大,而且分布更均匀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王震东	南昌大学理学院	11	46	3.0	6.0
2	姜乐	南昌大学材料科学与工程系	6	38	3.0	6.0
3	王水凤	南昌大学理学院	15	55	4.0	6.0
4	元美玲	南昌大学理学院	15	103	5.0	10.0
5	戴丽丽	南昌大学材料科学与工程系	3	29	2.0	3.0