嵌入SiO2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究

• 作者: 于晓林 代君龙 卢铁城 唐彬 张松宝 敦少博 曾颖秋 胡又文 胡强
• 来源期刊: 四川大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge纳米晶 GeO纳米晶 离子注入 光致发光 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 347-352
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 2878字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2005.02.028

摘要

作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶,并通过系统的氧化性或还原性退火处理,以改变样品中Ge的氧化物成分组成.分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性,并结合XRD分析表明:300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc GeO)纳米晶发光,而不是GeO的缺陷发光;570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc Ge)发光,而不是Ge及Si界面的缺陷发光.