沉积温度对a-SiNx:H薄膜PL峰的影响

• 作者: 刘渝珍 王小波 董立军 陈大鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LPCVD 纳米硅镶嵌结构 SiNx薄膜 可见荧光
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1553-1557
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 3580字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.014

摘要

在3.75eV的激光激发下,利用LPCVD在800～950℃不同温度下沉积富硅的SiNx薄膜中,在室温下观测到1～5个高强度可见荧光的发射.通过TEM,IR,XPS等的分析研究表明,文中所获样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜.PL峰数目及其各峰的强弱与生成薄膜过程中反应气体SiH2Cl2的分解速率、沉积温度、SiNx生长过程有关,还与薄膜中纳米硅的团簇密度、尺寸大小以及各种不同类型的缺陷态种类和密度有十分重要的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈大鹏	中国科学院微电子研究所	79	466	10.0	17.0
2	刘渝珍		5	26	2.0	5.0
3	王小波		20	148	6.0	11.0
4	董立军	中国科学院微电子研究所	11	46	4.0	6.0