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摘要:
SiGe材料具有很多独特的性质,高性能的应变SiGe外延层能够将能带工程的概念引入到传统的Si基材料中去.外延SiGe合金使得在Si基材料上制作性能优异的双极晶体管成为可能.本文回顾了SiGe材料和SiGe异质结双极晶体管的最新研究进展,包括它们的结构、性能、制作工艺、优点以及未来发展方向等.
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文献信息
篇名 SiGe材料及其在双极型器件中的应用
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 SiGe 异质结双极晶体管 微波器件
年,卷(期) 2005,(1) 所属期刊栏目 电路设计与制造
研究方向 页码范围 31-35
页数 5页 分类号 TN304
字数 4037字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-1070.2005.01.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴德馨 中国科学院微电子中心 58 345 11.0 14.0
2 陈震 中国科学院微电子中心 10 69 4.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
SiGe
异质结双极晶体管
微波器件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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