氢等离子体退火对氢化非晶硅结构有序度的影响

• 作者: 徐骏 李伟 梅嘉欣 芮云军 阳玲 陈坤基
• 来源期刊: 南京大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化非晶硅 微结构 等离子体退火 钝化 去钝化
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 硅基纳米光电子专栏
• 页码范围: 61-65
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0469-5097.2005.01.009

摘要

室温下利用氢等离子体退火技术对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行处理,通过傅立叶红外、光吸收、拉曼光谱3种测试手段对非晶硅的微结构进行了分析,发现不同的退火时间对a-Si:H的微结构影响很大,氢等离子体在与薄膜的化学反应过程中主要表现为原子氢(H0)与薄膜的反应.化学势很高的H0能将Si-Si弱键转变成Si-Si强键.硅网络结构发生弛豫,使结构由无序向有序转变,从而能够降低晶化温度与退火时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈坤基	南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室	31	53	5.0	6.0