应变对AlxGa1-xN能带间隙弯曲系数和能带结构的影响

• 作者: 吴文光 李华兵 李述体 范广涵 谭春华 雷勇 黄琨
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: AlxGa1-xN 弯曲系数 晶格常数 应变
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 320-322,326
• 页数: 4页
• 分类号: TN253
• 字数: 2097字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.04.014

摘要

在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能.从理论上分析了在赝形应变下AlGaN的能带结构和弯曲系数,并通过对AlxGa1-xN能带间隙的理论结果和实验结果分析比较,得出的能带间隙的弯曲系数与已有文献报道的实验结果相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	李华兵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	6	6	2.0	2.0
3	吴文光	华南师范大学光电子材料与技术研究所	6	6	2.0	2.0
4	黄琨	华南师范大学光电子材料与技术研究所	10	78	4.0	8.0
5	谭春华	华南师范大学光电子材料与技术研究所	20	92	6.0	8.0
6	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0