催化剂辅助化学气相沉积法制备准单晶ZnO纳米线

• 作者: 何毅 余洲 孙小松 晋勇 杨文彬 杨治美 王帅 龚敏
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO纳米线 化学气相沉积 催化辅助生长技术 定向生长 XRD SEM
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 216-218,222
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.21
• 字数: 2606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.03.015

摘要

利用Au催化辅助化学气相沉积生长技术,在n-Si(111)衬底上制备了准单晶的ZnO纳米线.X射线衍射分析的结果表明, ZnO纳米线具有明显的沿(0001)方向定向生长的特征.扫描电子显微镜分析表明,ZnO纳米线的典型直径约为100 nm,长度为2～5 μm.讨论了Au催化辅助化学气相沉积生长技术制备ZnO纳米线的原理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王帅	四川大学微电子技术四川省重点实验室	42	237	9.0	14.0
2	晋勇	四川大学材料科学系	21	205	8.0	14.0
3	杨文彬	四川大学材料科学系	18	135	8.0	11.0
4	孙小松	四川大学材料科学系	9	77	4.0	8.0
5	何毅	四川大学分析测试中心	24	71	5.0	8.0
6	余洲	四川大学材料科学系	3	17	2.0	3.0
7	杨治美	四川大学微电子技术四川省重点实验室	11	32	3.0	5.0