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摘要:
提出了一种新的MOS器件栅增压电路,它在减小MOS开关导通电阻的同时,减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真.该电路采用了O.13μm 1.2V/2.5V CMOS工艺,HSPICE的仿真结果表明该栅增压电路适用于高速低电压开关电容电路.
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文献信息
篇名 一种适用于开关电容电路的MOS开关栅增压电路
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 开关电容电路 导通电阻 MOS开关 栅增压电路
年,卷(期) 2005,(9) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1808-1812
页数 5页 分类号 TN432
字数 2867字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.025
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
开关电容电路
导通电阻
MOS开关
栅增压电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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