GaAs半导体对1.06μm激光的吸收响应

• 作者: 刘鸿 吴明和 杨宏春 王玉明 薛长江 阮成礼
• 来源期刊: 激光与光电子学进展
• 关键词: 杂质吸收 光生载流子 光激发 俘获效应
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 光电子器件与技术
• 页码范围: 30-32
• 页数: 3页
• 字数: 1904字
• 语种: 中文

摘要

入射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为103V/cm.讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时间变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二者吻合很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴明和	电子科技大学物理电子学院	31	71	5.0	7.0
2	王玉明	电子科技大学物理电子学院	3	7	1.0	2.0
3	阮成礼	电子科技大学物理电子学院	55	513	14.0	19.0
4	刘鸿	电子科技大学物理电子学院	7	38	4.0	6.0
5	薛长江	电子科技大学物理电子学院	2	6	1.0	2.0
6	杨宏春		1	6	1.0	1.0