利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

• 作者: 冯团辉 卢景霄 张宇翔 李瑞 杨仕娥 王海燕 郜小勇 靳锐敏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 快速热退火 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 晶粒尺寸 暗电导率
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 353-358
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3249字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.034

摘要

为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率.研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郜小勇	郑州大学教育部材料物理重点实验室	52	301	10.0	14.0
2	杨仕娥	郑州大学教育部材料物理重点实验室	68	513	12.0	18.0
3	卢景霄	郑州大学教育部材料物理重点实验室	100	570	12.0	17.0
4	张宇翔	郑州大学教育部材料物理重点实验室	45	274	10.0	14.0
5	李瑞	郑州大学教育部材料物理重点实验室	35	173	8.0	11.0
6	靳锐敏	郑州大学教育部材料物理重点实验室	8	55	4.0	7.0
7	冯团辉	郑州大学教育部材料物理重点实验室	10	86	6.0	9.0